上图为 buck 电路的基本拓扑结构,开关打到 1,电感充电;开关打到 0,电感放电。通常认为电感和都是储能元件,但是电感的充放电是有能量形式的转换的,充电时电场 → 磁场,放电时磁场 → 电场。
V2 是直流电压源;Q1 是 PMOS;Q2 是 NMOS;V1 是脉冲电压源,用它来做 PWM 控制信号;C1 是输入电容;C2 是输出电容;L1 是储能电感;R1 是负载电阻。
从图中能够正常的看到,我们将 PWM 频率设置为 1MHz,以便使用更小的电感进行仿真。
红线是 PWM 波形,当 PWM 为低电平时,Q1 开启,Q2 关闭,电感 L1 充电,能够正常的看到,随着输出电容 C2 电压的升高,L1 的充电
VC1为输入电压,5V,不变; VC2为输出电压,在一直上升,所以 L1 的充电电流斜率在减小。
当 PWM 为高电平时,Q1 关闭,Q2 开启,电感 L1 放电,放电电流斜率为:
出现振荡波形了,输出电压在衰减振荡,这还在于没有反馈环路来控制,并且仿真的电路是
,Q2 是双向导通的。但是能看到输出电压和负载电流都是衰减振荡,可以合理想象,仿真时间继续延长,它们一定会趋于一个固定值,达到稳态。我们先把 Q2 换成
果然不再振荡了,当电感电流降到接近 0 时,不会再反向,而是再次逐渐充电。
但这不是我们想要的结果,我们继续在前面的原理图上想办法。仿线 是一个近似理想电感,我们可以加一个电阻来增大阻尼:
这样输出电压就会快速收敛。但是这个串联电阻设为 1Ω,跟负载电阻的 5Ω 已经是同一数量级,从仿真结果上也能够正常的看到,这时输出电压趋于 2.5V,实际上的意思就是 5 × 60% × 5 ÷ (1 + 5)= 2.5V。实际上,DCDC 降压芯片基础原理及选型主要参数介绍这篇文章中的设计实例,使用的电感 ESR 在 150mΩ 到 200mΩ。
假设电感充放电过程没有损耗,设充电时间为 ,即上图中电感电流上升的时间t1;放电时间为t2 ,即上图中电感电流下降时间,则由能量守恒:
,因其成本低廉、体积小而被广泛地使用,此一优点足以掩盖其它所有缺点:输出电流小(一般控制在100mA以内),与市电直通非隔离而存在安全风险隐患,输出电压波动大等;这些缺点也限制了其所能使用场所。
,因其成本低廉、体积小而被广泛地使用,此一优点足以掩盖其它所有缺点:输出电流小(一般控制在100mA以内),与市电直通非隔离而存在安全风险隐患,输出电压波动大等;这些缺点也限制了其所能使用场所。
开关变换器的一种拓扑结构,设计方法较简单,但是还是有许多注意点。废话不多说,直接开写。
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电压,我给大家推荐的这些方案里面,都是些不错的芯片,希望我们大家不要停留于LM2596和XL40XX这些型号,TI,ADI,MP...
:正相时,电容C1充电,三极管不导通。反相时,电解电容放电,三极管导通。不知道分析的对不对?还有这时输出电流很小,大约为20mA,然后我调整4K、470K的阻值,输出电流也不会增大。不知道原因。希望各位大侠帮忙!谢谢。`
图如下图,电感L2是12*12的全包围电感,Q3是AO4606 N+P双MOS现在PWM调整电压没问题,可是
DC to DC 都是基于此拓扑结构。2、环路一,开关导通时的电流路径;环路二
大家上午好:前几天分享了姜维老师的文章讲解,这次分享姜维老师的视频讲解,保证大家能理解透彻,有问题的同学欢迎交流讨论!文章分享链接:详细分析
三类。也可按照隔离、非隔离,或者同步非同步再进一步细分。在手机、电脑等消费电子领域,
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设计、PCB设计、软件设计、上位机等,给新手综合学习的平台,给老司机交流的平台。所有文章来源于项目实战,属于原创。一、拓步结构 1、
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